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　　芯片行业再迎利好消息！

　　全球存储芯片巨头三星电子今日（7月31日）披露的数据显示，该公司第二季度实现营业利润10.44万亿韩元，约合人民币547亿元，同比暴增1462%，超出市场预期。

　　三星电子表示，得益于人工智能的蓬勃发展，公司第二季度高性能高带宽存储器（HBM）的销售额环比增长50%以上。公司计划在下半年进一步扩大产能，并推广其最新的AI内存产品HBM3E，以满足AI领域的不断增长的需求。公司还透露，目前正在开发第六代HBM4，并计划在明年上半年开始生产。

　　此外，今日美股盘前，跟AI高度相关的半导体板块集体上涨，AMD一度涨超10%，该公司二季度AI芯片销售强劲，数据中心业务收入创新高，同时上调了AI芯片销售指引。其他个股方面，阿斯麦涨8%，英伟达涨近5%，台积电、博通和美光涨近4%，高通涨超3%。

　　三星业绩暴增1462%

　　当地时间7月31日，三星电子公布了2010年以来最快的净利润增速，因为人工智能（AI）热潮提振了其半导体部门的收益。

　　这家全球最大的存储和智能手机制造商披露，按合并财务报表口径计算，今年第二季度，公司销售额为74万亿韩元，同比增长23.44%，超出此前市场预期的73.74万亿韩元；营业利润达到10.44万亿韩元，同比猛增1462%，好于市场预期的9.53万亿韩元，这也是自2022年第三季度以来，三星电子的季度营业利润首次超过10万亿韩元。公司第二季度净利润为9.84万亿韩元，同比增长471%。

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　　受人工智能（AI）市场扩大推动存储芯片需求的复苏和芯片价格上升等利好因素影响，三星电子芯片部门业绩大幅改善，带动整体业绩向好。

　　三星电子出色的业绩表明，全球计算市场正在摆脱疫情后的长期低迷，部分原因是美国和中国在人工智能开发方面投入了大量资金。与SK海力士一样，三星电子也提供用于服务器和移动设备存储的半导体，并销售大量消费电子产品。

　　具体来看，第二季度，三星电子负责半导体业务的数字解决方案（DS）部门销售额为28.56万亿韩元，营业利润6.45万亿韩元，好于市场预期。今年第一季度该部门实现了1.91万亿韩元的营业利润，时隔五个季度重新实现盈利，而在第二季度的营业利润增幅进一步扩大。

　　三星电子设备体验（DX）部门销售额为42.07万亿韩元，营业利润2.72万亿韩元。其中涵盖智能手机的移动体验（MX）业务销售额环比减少，这主要是因为第二季度是智能手机销售淡季。三星电子方面称，由于智能手机市场的季节性趋势持续，智能手机的整体市场需求连续下降，尤其是高端市场。虽然MX业务的收入连续下降，但Galaxy S24系列在第二季度和上半年的出货量和收入都比上一代产品实现了两位数的同比增长。

　　三星电子预计，随着对具有人工智能功能的高端产品以及智能手表等配件的需求不断增长，2024年下半年智能手机的总体需求将比去年同期有所增长。

　　HBM芯片销量大增

　　三星电子周三表示，在生成式AI热潮的推动下，高带宽存储器（HBM）和DDR5（DRAM）等高附加值产品的需求增加。三星电子称：“HBM、DDR5 等以服务器为中心的产品销售扩大，同时公司积极应对生成式AI服务器用高附加值产品的需求，使得业绩较上季度大幅改善。”

　　数据显示，第二季度，三星电子高性能高带宽存储器（HBM）的销售额环比增长了50%以上。三星电子副总裁金在俊（Kim Jae-joon）在财报电话会议上表示：“由于对生成式人工智能的强劲需求，第二季度内存市场继续保持强劲。HBM的销售额同比增长了50%以上。”公司的8层堆叠HBM3E芯片将在第三季度开始量产。有媒体评论称，这表明，三星电子已经为这些芯片找到了一个客户，据信是美国人工智能芯片巨头英伟达。

　　金在俊表示：“在上个季度准备批量生产8层堆叠HBM3E产品时，向主要客户提供了样品，目前正在顺利进行测试。最新的12层堆叠HBM3E产品也将在下半年上市。”三星电子表示，目前正在开发第六代HBM4，并计划在明年上半年开始生产。

　　三星电子预计，下半年代工业务的移动需求将出现反弹，人工智能和高性能计算应用的需求将持续高增长。

　　近日，有媒体报道称，三星电子第四代高带宽内存HBM3已获得英伟达批准，将用于英伟达根据美国出口管制规定专门为中国市场开发的图形处理单元（GPU）H20，这是三星该技术首次用于英伟达处理器。目前尚不清楚英伟达是否会在其他AI处理器中使用三星的HBM3芯片，或者这些芯片是否必须通过额外的测试才能实现。

　　机构看好产业链

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　　近日，TrendForce集邦咨询预测，DRAM（动态随机存取内存）均价在2024年将增长53%，到2025年还将增长35%，从而推动DRAM产业2024年、2025年营收分别达到907亿美元（同比增75%）和1365亿美元（同比增51%）。

　　TrendForce集邦咨询表示，4项驱动DRAM营收的因素包括HBM崛起、一般型DRAM产品世代演进、原厂资本支出限缩供给和服务器需求复苏。相较一般型DRAM，HBM除拉升位元需求，也拉高产业平均价格。预估2024年HBM将贡献DRAM位元出货量5%、营收20%。

　　此外，DDR5和LPDDR5/5X等高附加价值产品的渗透同样有助于提高平均价格。TrendForce集邦咨询估计，DDR5将分别贡献2024、2025年Server DRAM位元出货量40%、60%—65%，LPDDR5/5X会贡献2024、2025年Mobile DRAM（行动式内存）位元出货量50%和60%。

　　TrendForce集邦咨询表示，存储器产业营收创纪录，原厂将有足够现金流加速投资。预估2025年DRAM、NAND Flash产业资本支出分别年增25%、10%，且有机会上修。此外，存储器生产规模提升将带动对硅晶圆、化学品等上游原料需求，但相反的，存储器价格上涨将增加电子产品成本，ODM/OEM（原始设计制造商/原始设备制造商）业者较难完全将成本反映在零售价上，利润将被压缩。

　　开源证券分析师罗通指出，随着行业周期稳步复苏，2024年—2025年存储板块营收规模逐渐扩大，国内存储芯片/模组/接口芯片等环节公司有望充分受益。

　　国泰君安分析师舒迪近日表示，国内多家芯片设计公司发布业绩预增公告，业绩超预期公司主要为存储的兆易创新、服务器的澜起科技、数字SoC的晶晨和瑞芯微等。受益于AI和AI端侧换机周期驱动，存储和AI下游率先复苏，手机PC、AIoT，通用服务器的复苏节奏持续，有望于第三季度持续向上。

　　另外，芯片厂商SK海力士日前披露的财报显示，公司2024财年第二季度合并收入为16.42万亿韩元，再创历史新高，同比增长125%，环比增长32%；营业利润为5.47万亿韩元，自2018年以来再次回到5万亿韩元水平。国泰君安表示，海力士第二季度收入创新高，营运利润大幅改善，主要源于存储涨价和AI需求（HBM、DDR5、企业级SSD等）的拉动。海力士业绩创新高强化存储周期趋势和HBM的需求趋势，看好国产AI算力的自主可控、HBM设备公司的产业发展以及利基存储的持续涨价。

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